Схема для проверки усиления транзисторов. Простой прибор для подбора пар мощных транзисторов. Принципиальная схема простого тестера

Он позволяет измерять статический коэффициент передачи тока транзисторов обеих структур при различных значениях тока базы, а также начальный ток коллек­тора. На этом приборе можно легко подбирать пары транзисторов для выходных каскадов усилителей НЧ.

Коэффициент передачи тока измеряют при токах базы 1, 3 и 10 мА, устанавли­ваемых соответственно кнопками S1, S2 и S3 (см. рисунок). Ток коллектора при этом отсчитывают по шкале миллиамперметра РА1. Значение статического коэф­фициента передачи тока вычисляют, разделив ток коллектора на ток базы. Макси­мальное измеряемое значение пара­метра h 213 - 300. Если транзистор пробит или в его коллекторной цепи течет значительный ток, светятся ин­дикаторные лампы Н1 и Н2.

Проверяемый транзистор подклю­чают к испытателю через один из разьемов Х1 -ХЗ. Разъемы Х2, ХЗ рас­считаны на подключение транзисто­ров средней мощности - тот или иной из них используют в зависимо­сти от расположения выводов на кор­пусе транзистора. К разъему Х1 под-

ключают мощные транзисторы с гиб­кими выводами (но без вилок на конце). Если выводы транзистора жесткие, или гибкие с вилками на конце или же он установлен на радиатор, в разъемХ1 вставля­ют соответствующую вилку с тремя многожильными проводниками в изоляции, на концах которых припаяны зажимы «крокодил» - их и подключают к выводам транзистора. В зависимости от структуры проверяемого транзистора переключа­тель S4 устанавливают в соответствующее положение.

Разъем Х1 - СГ-3 (можно и СГ-5), Х2 и ХЗ - самодельные изготовленные из малогабаритного многоконтактного разъема (подойдут, конечно, и стандартные панельки для транзисторов). Нажимные кнопки S1-S3 - П2К, S4 - тоже П2К, но с фиксацией в нажатом положении. Резисторы - МЛТ-0,125 или МЛТ-0,25. Индикаторные лампы - МН2,5-0,15 (рабочее напряжение 2,5 В, потребляемый ток

0, 15 А). Миллиамперметр РА 1 - на ток полного отклонения стрелки 300 мА.

Детали испытателя размещены в корпусе, изготовленном из органического стекла. На лицевой стенке корпуса укреплены разъемы Х1-ХЗ, переключатель S4, кнопки S1, S3 и миллиамперметр РА1. Остальные детали (в том числе и источник питания) смонтированы внутри корпуса. К лицевой панели приклеен лист бумаги с сеткой для отметок значений тока коллектора в зависимости от тока базы. Сверху лист прикрыт тонким органическим стеклом. Сеткой пользуются при построении характеристик транзисторов, которые подбирают для выходного каскада усилите­ля НЧ. Характеристики вычерчивают на стекле фломастером или перьевой авто­ручкой смывают их влажным тампоном.

Испытания транзистора начинают с измерения начального тока коллектора при отключенной базе. Его значение миллиамперметр РА1 покажет сразу же после подключения выводов транзистора к разъему. Затем нажав кнопку S1, измеряют ток коллектора и определяют статический коэффициент передачи тока. Если ток коллектора мал, переходят на другой диапазон нажимая кнопку S2 или S3.

Журнал «Радио», 1982, № 9,с.49


Предельно простое, но удобное устройство для подбора пар кремниевых транзисторов средней и большой мощности с определением коэффициента передачи по току.

Предыстория

При изготовлении любительских конструкций, особенно усилителей, весьма желательно, чтобы пары транзисторов, как одной проводимости, так и комплементарных, имели возможно близкие параметры. При прочих равных условиях, лучше работают транзисторы, подобранные по коэффициенту передачи по току, особенно в эпоху моды на усилители с неглубокой ОООС или даже без нее. Современные промышленные приборы слишком дороги и не рассчитаны на любителей, а старые неэффективны. Встроенные в дешевые цифровые тестеры измерители транзисторов вообще не годятся для этой цели т. к. обычно проводят измерения при токе 1 мА и напряжении 5 В. Поиски в интернете простой, но функциональной конструкции результатов не дали, а заниматься очередной раз подбором «на коленке» уже не хочется, хочется комфорта. Пришлось изобретать самому. Надеюсь, что найдутся желающие повторить эту конструкцию.
Схема предельно проста, но имеет несколько изюминок. Первая - измерение при фиксированном токе эмиттера (фактически и коллектора), а не базы (идея из журнала «Радио», взята с датагорского форума). Это позволило поставить транзисторы в одинаковые условия и выбрать режим по току, в котором будут работать эти транзисторы.

Вторая - регулируемый стабилитрон на TL431 позволяет плавно установить ток, с обычными стабилитронами это невозможно, да и подбор пар «стабилитрон+резистор в цепи эмиттера» вызвал бы проблемы. Третья - двухканальная схема и отдельные панельки для P-N-P и N-P-N транзисторов, что упрощает коммутацию, позволяет моментально сравнивать опытную пару и проверять идентичность, изменяя напряжение питания.

Настройка

Считаю, что это не кофеварка и человек, которому нужен подбор пар транзисторов, должен представлять себе режимы их работы и возможности изменения.

При сопротивлении резистора в цепи эмиттера 15 Ом и изменении тока измерения в 10 раз, параллельный резистор должен иметь номинал в 9 раз больше, т. е. 135 Ом (подобрать из имеющихся 130 Ом, большая точность не нужна). Общее сопротивление резисторов будет 13,5 Ом. (Можно взять резисторы 15 и 150 Ом и подключать их тумблером поочередно, но я люблю безобрывность). Установить в панельку транзистор и переменным резистором выставить напряжение на эмиттере 2,7 В (клеммы для измерения тока базы временно закоротить).
Настройка закончена.

Измерить ток базы. Отношение тока эмиттера к току базы даст коэффициент передачи транзистора по току (правильнее будет из тока эмиттера вычесть ток базы и получить ток коллектора, но погрешность мала). При замене транзисторов отключать питание не надо, при испытаниях я неоднократно ошибался и включал транзисторы «наоборот», тестер показывал, что ток базы равен нулю, больше никаких проблем.

Прибор делался для тока 200 мА и напряжения К-Э равному 2 В, этим вызван выбор номинала 15 Ом. Естественно, если вы захотите установить ток 300 мА, напряжение на эмиттере составит 4 В и для сохранения напряжения К-Э = 2 В напряжение питания должно быть не 5, а 6 В.

Можно делать измерения при токе 1 А, тогда резистор должен быть 3 Ома. При увеличении напряжения питания до 8…10 В, лучше увеличить номинал резистора, ограничивающего ток через TL431 до 200 Ом.
Короче, если вы захотите существенно изменить параметры измерения, придется изменить номиналы одного-двух резисторов.

По сравнению с «фирменным» прибором, делающем измерения на коротком импульсе, данный прибор позволяет прогреть испытуемый транзистор - этот режим ближе к рабочему.
Вместо М-832 можно включить обычный стрелочный миллиамперметр (или стрелочный авометр), шкалу отградуировать в единицах усиления по току, годится прибор на 1/10 мА, он покажет усиление от 20 до 200…400. Но тогда нельзя будет плавно менять ток измерений.

Возможная модернизация

1. Транзисторы типа КТ814, вставленные в панельки «смотрят» надписями от пользователя. Для устранения надо зеркально поменять справа налево рисунок печатной платы.

2. Если пробит переход К-Б, на стабилитрон TL431 поступит напряжение без ограничительного резистора. Поэтому сомнительные транзисторы надо предварительно проверять на замыкание омметром тестера. Для защиты TL431 можно вместо резистора 100 кОм (он предотвращает режим с оторванной базой, я поставил его для перестраховки) поставить резистор 100 Ом и включить его последовательно с миллиамперметром.

3. При длительной подаче повышенного напряжения питания, мощность на балластном резисторе TL431 превышает номинальную. Резистор надо умудриться сжечь, но если есть такие таланты, можно поставить его мощностью 0,5 Вт сопротивлением 200 Ом.

Я не стал вносить эти изменения - делать «защиту от дурака» для себя в схеме из одного стабилитрона и нескольких резисторов считаю ненужным.
Плата просто приклеена к кусочку пенопласта с жесткой пленкой. Выглядит неэстетично, но работает, меня это устраивает, как говорится: «дёшево, надёжно и практично».

Вероятно нет такого радиолюбителя который бы не исповедовал культ радиотехнического лабораторного оборудования. В первую очередь это , приставки к ним и пробники, которые в большинстве являются изготовленными самостоятельно. А так как измерительных приборов много не бывает и это аксиома, как-то собрал небольшой по размерам и с весьма несложной схемой испытатель транзисторов и диодов. Давно уже есть не плохой мультиметр, а самодельным тестером, во многих случаях, продолжаю пользоваться по прежнему.

Схема прибора

Конструктор пробника состоит всего из 7 электронных компонентов + печатная плата. Собирается быстро и работать начинает абсолютно без всякой настройки.

Схема собрана на микросхеме К155ЛН1 содержащей шесть инверторов.При правильном подключении к ней выводов исправного транзистора зажигается один из светодиодов (HL1 при структуре N-P-N и HL2 при P-N-P). Если неисправен:

  1. пробит, вспыхивают оба светодиода
  2. имеет внутренний обрыв, оба не зажигаются

Проверяемые диоды подключаются к выводам «К» и «Э». В зависимости от полярности подключения загораться будут HL1 или HL2.

Компонентов схемы совсем не много но лучше изготовить печатную плату, хлопотно паять провода к ножкам микросхемы напрямую.

И постарайтесь не забыть поставить под микросхему панельку.

Пользоваться пробником можно и без установки его в корпус, но если затратить ещё немного время на его изготовление, то будете иметь полноценный, мобильный пробник, который уже можно взять с собой (например на радиорынок). Корпус на фото изготовлен из пластмассового корпуса квадратной батарейки, которая уже своё отработала. Всего-то делов было удалить прежнее содержимое и отпилить излишки, просверлить отверстия под светодиоды и приклеить планку с разъёмами для подключения проверяемых транзисторов. На разъёмы не лишним будет «одеть» цвета опознавания. Кнопка включения обязательна. Блок питания это привёрнутый несколькими винтами к корпусу батарейный отсек формата ААА.

Крепёжные винты, небольшого размера, удобно пропустить через плюсовые контакты и привернуть с обязательным использованием гаек.

Испытатель в полной готовности. Оптимальным будет использование аккумуляторов ААА, четыре штуки по 1,2 вольта дадут лучший вариант питаемого напряжения в 4,8 вольта.

Принципиальная схема достаточно простого испытателя маломощных транзисторов приведена на рис. 9. Он представляет собой генератор звуковой частоты, который при исправном транзисторе VT возбуждается, и излучатель НА1 воспроизводит звук.

Рис. 9. Схема простого испытателя транзисторов

Питание устройства осуществляется от батареи GB1 типа 3336Л напряжением от 3,7 до 4,1 В. В качестве звукоизлучателя используется высокоомный телефонный капсюль. При необходимости проверки транзистора структуры n-p-n достаточно поменять полярность включения батареи питания. Эту схему можно также использовать в качестве звукового сигнализатора, управляемого вручную кнопкой SA1 или контактами какого-либо устройства.

2.2. Прибор для проверки исправности транзисторов

Кирсанов В.

С помощью этого несложного прибора можно проверять транзисторы, не выпаивая их из того устройства, в котором они установлены. Необходимо лишь отключить там питание.

Принципиальная схема прибора приведена на рис. 10.

Рис. 10. Схема прибора для проверки исправности транзисторов

Если выводы испытуемого транзистора V x подключить к прибору, он совместно с транзистором VT1 образует схему симметричного мультивибратора с емкостной связью, и если транзистор исправен, мультивибратор будет генерировать колебания звуковой частоты, которые после усиления транзистором VT2 воспроизведутся звукоизлучателем В1. С помощью переключателя S1 можно изменить полярность напряжения, поступающего на проверяемый транзистор согласно его структуре.

Вместо старых германиевых транзисторов МП 16 можно использовать современные кремниевые КТ361 с любым буквенным индексом.

2.3. Испытатель транзисторов средней и большой мощности

Васильев В.

С помощью этого прибора есть возможность измерить обратный ток коллектор-эмиттер транзистора I КЭ и статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h 21Э при разных значениях тока базы. Прибор позволяет измерять параметры транзисторов обеих структур. На принципиальной схеме прибора (рис. 11) показаны три группы входных клемм. Группы Х2 и ХЗ предназначены для подключения транзисторов средней мощности с разным расположением выводов. Группа XI - для транзисторов большой мощности.

Кнопками S1-S3 устанавливается ток базы испытуемого транзистора: 1,3 или 10 мА Переключателем S4 можно изменить полярность подключения батареи питания в зависимости от структуры транзистора. Стрелочный прибор РА1 магнитоэлектрической системы с током полного отклонения 300 мА измеряет ток коллектора. Для питания прибора используется батарея GB1 типа 3336Л.

Рис. 11. Схема испытателя транзисторов средней и большой мощности

Перед подключением испытуемого транзистора к одной из групп входных клемм нужно установить переключатель S4 в положение, соответствующее структуре транзистора. После его подключения прибор покажет значение обратного тока коллектор-эмиттер. Затем одной из кнопок S1-S3 включают ток базы и измеряют ток коллектора транзистора. Статический коэффициент передачи тока h 21Э определяется делением измеренного тока коллектора на установленный ток базы. При оборванном переходе ток коллектора равен нулю, а при пробитом транзисторе загораются индикаторные лампы H1, Н2 типа МН2,5–0,15.

2.4. Испытатель транзисторов со стрелочным индикатором

Вардашкин А .

При использовании этого прибора можно измерить обратный ток коллектора I КБО и статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h 21Э маломощных и мощных биполярных транзисторов обеих структур. Принципиальная схема прибора показана на рис. 12.

Рис. 12. Схема испытателя транзисторов со стрелочным индикатором

Испытуемый транзистор подключается к клеммам прибора в зависимости от расположения выводов. Переключателем П2 устанавливается режим измерения для маломощных или мощных транзисторов. Переключатель ПЗ изменяет полярность батареи питания в зависимости от структуры контролируемого транзистора. Переключатель П1 на три положения и 4 направления служит для выбора режима. В положении 1 измеряется обратный ток коллектора I КБО при разомкнутой цепи эмиттера. Положение 2 служит для установки и измерения тока базы I б. В положении 3 измеряется статический ко- эффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h 21Э.

При измерении обратного тока коллектора мощных транзисторов параллельно измерительному прибору РА1 переключателем П2 подключается шунт R3. Установка тока базы производится переменным резистором R4 под контролем стрелочного прибора, который при мощном транзисторе также шунтируется резистором R3. Для измерений статического коэффициента передачи тока при маломощных транзисторах микроамперметр шунтируется резистором R1, а при мощных - резистором R2.

Схема испытателя рассчитана на применение в качестве стрелочного прибора микроамперметра типа М592 (или любого другого) с током полного отклонения 100 мкА, нулем посредине шкалы (100-0-100) и сопротивлением рамки 660 Ом. Тогда подключение к прибору шунта сопротивлением 70 Ом дает предел измерения 1 мА, сопротивлением 12 Ом - 5 мА, а 1 Ом - 100 мА. Если использовать стрелочный прибор с другим значением сопротивления рамки, придется пересчитать сопротивления шунтов.

2.5. Испытатель мощных транзисторов

Белоусов А.

Этот прибор позволяет измерять обратный ток коллектор-эмиттер I КЭ, обратный ток коллектора I КБО, а также статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h 21Э мощных биполярных транзисторов обеих структур. Принципиальная схема испытателя показана на рис. 13.

Рис. 13. Принципиальная схема испытателя мощных транзисторов

Выводы испытуемого транзистора подключаются к клеммам ХТ1, ХТ2, ХТЗ, обозначенных буквами «э», «к» и «б». Переключатель SB2 используется для переключения полярности питания в зависимости от структуры транзистора. Переключателями SB1 и SB3 пользуются в процессе измерений. Кнопки SB4-SB8 предназначены для изменения пределов измерения путем изменения тока базы.

Для измерения обратного тока коллектор-эмиттер нажимают кнопки SB1 и SB3. При этом отключается база контактами SB 1.2 и отключается шунт R1 контактами SB 1.1. Тогда предел измерения тока составляет 10 мА. Для измерения обратного тока коллектора отсоединяют вывод эмиттера от клеммы ХТ1, подключают к ней вывод базы транзистора и нажимают кнопки SB1 и SB3. Полное отклонение стрелки вновь соответствует току 10 мА.

С помощью описываемого здесь прибора можно измерить обратный ток коллекторного перехода IКБ0 и статический коэффициент передачи тока h2)9 маломощных транзисторов структур р-п-р и п-р-п.

Конструктивно испытатель транзисторов выполнен в виде приставки к аво-метру, так же как транзисторные вольтметры постоянного и переменного токов. Для соединения с микроамперметром авометра приставка снабжена штепсельной колодкой, которую при измерениях вставляют в гнезда «100 мкА» на передней панели авометра. При этом переключатель вида измерений авометра должен находиться в положении «V».

Питается прибор стабилизированным напряжением 9 В от нерегулируемого источника блока питания.

Прежде чем перейти к описанию принципиальной схемы испытателя, несколько слов о положенном в его основу принципе. Подавляющее большинство описанных в радиолюбительской, литературе простых испытателей транзисторов рассчитано на измерение, статического коэффициента передачи тока hjis при фиксированном токе базы (обычно-100 мкА). Это облегчает измерения [шкалу прибора в цепи коллектора проверяемого транзистора можно отградуировать непосредственно в значениях hi20 = lHRB/UcB, где Ugb - напряжение батареи (см. рис. 20,6)], однако такие испытатели имеют существенный недостаток. Дело в том, что коэффициент передачи тока h2is в значительной мере зависит от режима работы транзистора и в первую очередь от тока эмиттера 1э. Вот почему в справочниках всегда приводятся не только значения коэффициента передачи тока h2iв, но и условия, в которых он измерен (ток Iв и напряжение между коллектором и эмиттером Ukb).

Статический коэффициент передачи тока h2is маломощных транзисторов обычно измеряют при токе Ь=0,5 мА (низкочастотные маломощные транзисторы) , 1 мА (остальные низкочастотные) или 10 мА (транзисторы, предназначенные для работы в импульсном режиме). Напряжение 1Лкэ при измерении этого параметра обычно близко к 5 В. Поскольку коэффициент h2ia мало зависит от Uks, у транзисторов малой мощности (кроме высокочастотных) его можно измерять при одном и том же значении Uks.

В испытателях, измеряющих статический коэффициент передачи тока при фиксированном токе базы, коллекторные (а следовательно, и эмиттерные) токи проверяемых транзисторов даже одного типа практически всегда разные. А это значит, что сопоставить результаты измерений со справочными данными (при определенном токе эмиттера) просто невозможно.

Приборы, в которых возможна установка любого заданного тока коллектора (или эмиттера), позволяют получить сопоставимые значения параметра h2iв, однако такие испытатели неудобны в работе, так как требуют при каждом измерении устанавливать ток коллектора заново.

Этих недостатков нет у испытателя транзисторов, входящего в лабораторию. Он рассчитан на измерение статического коэффициента передачи тока h2is при нескольких фиксированных значениях стабилизированного тока эмиттера. Это позволяет оценить усилительные свойства транзистора в режиме, близком к рабочему, т. е. при токе, текущем через транзистор в устройстве, для которого он предназначен.

Упрощенная схема измерителя статического коэффициента передачи тока h2)g при стабилизированном (фиксированном) токе эмиттера изображена на рис. 44. Проверяемый транзистор VT вместе с элементами испытателя образует стабилизатор тока. Напряжение на базе транзистора стабилизировано стабилитроном VD, поэтому в его эмиттерной (коллекторной) цепи течет ток, практически не зависящий от изменения напряжения источника питания GB. Этот ток можно рассчитать по формуле 1b=(\Jvd-Use)/R2, где 1э - эмиттерный ток (в амперах), Uvd - напряжение на стабилитроне (в вольтах), Use - падение напряжения на эмиттерном переходе транзистора (также в вольтах), R2 - сопротивление (в омах) резистора в эмиттерной цепи транзистора. Для получения разных токов через транзистор, в его эмиттерную цепь достаточно ввести переключатель с набором постоянных резисторов, сопротивления которых рассчитаны по приведенной формуле. Поскольку при фиксированном значении тока эмиттера ток базы обратно пропорционален статическому коэффициенту передачи тока h2is (чем он больше, тем меньше ток базы, и наоборот), шкалу прибора РА в цепи базы проверяемого транзистора можно отградуировать в значениях h2i8.

Радиолюбителю приходится иметь дело как с германиевыми, так и с кремниевыми транзисторами. У первых напряжение Uaii=0,2...0,3 В, у вторых Шб=0,6...0,7 В. Чтобы не усложнять прибор, при расчете сопротивлений резисторов, задающих эмиттерные токи, можно взять среднее значение падения напряжения на эмиттерном переходе, равное 0,4 В. В этом случае отклонение тока эмиттера при испытании любых маломощных транзисторов (и выбранном напряжении на стабилитроне Uvd = 4,7 В) не превышает ±10% от номинального, что вполне допустимо.

Принципиальная схема испытателя транзисторов изображена на рис. 45. Он предназначен для измерения обратного тока коллектора Iki;o до 100 мкА и статического коэффициента передачи тока h2ia от 10 до 100 при токе эмиттера la = 1 мА и от 20 до 200 при токах эмиттера, равных 2; 5 и 10 мА. Ориентировочно можно измерить и большие значения параметра h2iв. Если, например, считать минимальный измеряемый ток базы равным 2 мкА, что соответствует одному делению шкалы микроамперметра М24, то при эмиттерном токе 1 мА можно регистрировать значения коэффициента h2is до 500, при токах 2, 5 и 10 мА - до 1000. Следует учесть, что погрешность измерений таких значений h2ia может достигать десятков процентов.

Проверяемый транзистор VT подключают к гнездам розетки XS1. Эмиттер-ный ток, при котором необходимо измерить коэффициент h2is, выбирают переключателем SA3, включающим (секцией SA3.2) в эмиттерную цепь транзистора

один из резисторов R5 - R8. Для получения указанных пределов измерений коэффициента h2ia (20...200) при токах эмиттера, равных б и 10 мА, в третьем и четвертом положениях переключателя SA3 параллельно микроамперметру РА1 авометра подключаются соответственно резисторы R3 и R2, в результате чего ток полного отклонения его стрелки возрастает в первом случае до 250, а во втором - до 500 мкА.

Из режима измерения коэффициента Ьцэ в режим контроля обратного тока коллектора 1кбо испытатель переводят переключателем SA2. Первый из этих параметров измеряют при напряжении на коллекторе (относительно эмиттера) около 4,7 В, второй - при таком же напряжении, снимаемом со стабилитрона VD1.

Переключателем SA1 изменяют полярность включения источника питания, микроамперметра РА1 и стабилитрона VD1 при испытании транзисторов разной структуры (p-n-р или п-р-п). Резистор R4, вводимый в цепь коллекторного перехода при измерении 1кво, ограничивает ток через микроамперметр в случае, если переход оказывается пробитым. Ток 1кво и коэффициент h2is измеряют при нажатой кнопке SB1.

Конструкция и детали. Внешний вид испытателя транзисторов вместе с аво-метром показан на рис. 46, разметка его лицевой панели - на рис. 47, разметка монтажной платы и схема соединений деталей приставки - на рис. 48.

Как и в транзисторных вольтметрах, несущим элементом конструкции является корпус приставки, изготовленный из листового алюминиевого сплава АМц-П толщиной 1 мм. На лицевой панели (верхней стенке) закреплены кнопка SB1, плата с зажимами для подключения выводов транзисторов и четыре латунные стойки диаметром 4 и длиной 19 мм с резьбовыми отверстиями М2 (глубиной 6 мм) для винтов крепления монтажной платы, на боковой стенке - штепсельная колодка для соединения приставки с микроамперметром авометра.

П-образная крышка (материал тот же, что и корпуса) с пластмассовой пластиной толщиной 3...4 мм прикреплена к корпусу винтами М2х8 с потайными головками. Винты ввинчены в гайки М2, приклеенные к полочкам корпуса с внутренней стороны.

Переключатели SA1 - SA3 - движковые от транзисторного радиоприемника «Сокол». Два из них (SA1 и SA2) использованы без переделки, третий (SA3) переделан в двухполюсный на четыре положения. Для этого удалены крайние неподвижные контакты (по одному в каждом ряду), а подвижные переставлены таким образом, чтобы обеспечивалась схема коммутации, изображенная на рис. 49.

Выводы контактов переключателей вставлены в отверстия 0 2,6 мм платы с обратной стороны (по рис. 48, а) и удерживаются на ней припаянными к ним соединительными проводами (МГШВ сечением 0,14 мм2) и выводами резисторов R1-R8 (MJIT) и стабилитрона VD1. Резисторы R5 - R8 изображены за контуром платы условно, на самом деле они расположены между выводами переключателей SA3 и SA2.

Конструкция гнездовой колодки XS1 для подсоединения выводов транзисторов к испытателю показана на рис. 50. Ее корпус состоит из деталей 1 и 3, изготовленных из листового органического стекла и склеенных дихлорэтаном. Контакты 2 изготовлены из листовой бронзы (можно использовать твердую латунь) толщиной 0,3 мм. Чтобы к испытателю можно было подключать транзисторы различной конструкции и с разным расположением выводов, число контактов выбрано равным пяти, а расстояние между ними - 2,5 мм. К корпусу приставки колодка прикреплена двумя винтами М2Хб с потайными головками. Такими же винтами на боковой стенке корпуса закреплена штепсельная колодка, служащая для соединения приставки с микроамперметром авометра.

Устройство самодельной кнопки SB1 показано на рис. 51. Ее корпус состоит из деталей 2 и 5, выпиленных из органического стекла и склеенных дихлорэтаном. Контакты 1 и 3 закреплены на детали 2 заклепками 6. Сама кнопка 4 соединена с подвижным контактом 3 винтом МЗХ5. Для крепления кнопки к корпусу приставки в торцах деталей 2 и 5 предусмотрены резьбовые отверстия под винты М2. Контакты 1 и 3 изготовлены из того же материала, что и пружинящие контакты гнездовой колодки для подключения транзисторов, кнопка 4 - из полистирола (можно использовать органическое стекло, текстолит и т. д.).

Как и в ранее описанных приборах-приставках, для соединения с блоком питания лаборатории использован двухпроводный шнур, оканчивающийся штепселями диаметром 3 мм.

Все надписи выполнены на листе плотной бумаги и защищены от повреждений прозрачной накладкой из органического стекла толщиной 2 мм. Для крепления к корпусу использованы один из винтов крепления колодки для подключения транзисторов и три винта М2х5, ввинченные в резьбовые отверстия накладки.

Налаживание правильно смонтированного испытателя транзисторов сводится в основном к подбору резисторов R3 и R2. Первый подбирают таким образом, чтобы при подключении его к микроамперметру авометра верхний предел измерений повышался до 250 мкА, а второй - таким образом, чтобы он увеличивался до 500 мкА. Практически это удобно делать, собрав электрическую цепь (рис. 52) из микроамперметра авометра РА1, образцового микроамперметра РА2 с пределом измерения 300...500 мкА, батареи GB напряжением 4,5 В (3336Л или три любых гальванических элемента, соединенных последовательно), резистора-шунта R1, токоограничительного резистора R2 и выключателя SA. Установив движки резисторов R1 и R2 в крайнее левое (по схеме) положение (т. е. в положение, соответствующее их максимальному сопротивлению), замыкают электрическую цепь выключателем SA. Затем, попеременно уменьшая сопротивление обоих резисторов, добиваются того, чтобы при токе 250 мкА, отсчитанном по образцовому микроамперметру РА2, стрелка микроамперметра авометра PAl установилась точно на последнюю отметку шкалы. После этого цепь разрывают и отключают приставку от авометра. Переключив последний в режим омметра, измеряют сопротивление введенной части переменного резистора R1 и подбирают постоянный резистор (R3) точно такого же сопротивления (при необходимости его можно составить из двух параллельно или последовательно соединенных резисторов).

Аналогично, но по току в измерительной цепи, равному 500 мкА, подбирают резистор R2. Подобранные резисторы R3 и R2 устанавливают на плату.

Шкалу для измерения статического коэффициента передачи тока h2i9 (или таблицу, если нет желания или возможности разбирать микроамперметр аво-метра) рассчитывают по формуле h2ia = Iэ/1б (здесь 1э - ток эмиттера, соответствующий выбранному режиму измерений; 1б - выраженный в этих же единицах ток базы, отсчитанный по шкале микроамперметра, оба тока в милли- или микроамперах). Значения коэффициента h2i3, соответствующие разным токам базы и эмиттера, приведены в табл. 1.

Проверку транзистора начинают с измерения тока коллекторного перехода 1ябо. Для этого переключатель SA1 устанавливают в положение, соответствующее структуре испытываемого транзистора, SA2 - в положение «1кво» и нажимают на кнопку SB1 («Изм.»). Убедившись в исправнвсти перехода (у германиевых маломощных транзисторов ток 1кбо может достигать нескольких микроампер, у кремниевых он ничтожно мал), переключатель SA2 переводят в положение «h2is», переключателем SA3 устанавливают ток эмиттера, при котором необходимо определить коэффициент h21e, и, нажав на кнопку SB1, отсчитывают значение h2is по шкале микроамперметра (или переводят измеренный ток базы в значение коэффициента, пользуясь таблицей).

Если в авометре использован микроамперметр с параметрами, отличающимися от приведенных в описании авометра, сопротивление резисторов R2 и R3 придется рассчитать и подобрать применительно к имеющемуся прибору.